IRG4PC30UDPBF транзистор IGBT
![Фото 1/5 IRG4PC30UDPBF транзистор IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/734/DOC034734796.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181900.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880051.jpg)
62 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
1 580 руб.
1 шт.
на сумму 1 580 руб.
Плати частями
от 395 руб. × 4 платежа
от 395 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017359120
Артикул: IRG4PC30UDPBF
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 23 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 23 A |
Factory Pack Quantity | 25 |
Height | 20.3 mm |
Length | 15.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 100 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Width | 5.3 mm |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 385 КБ
Datasheet IRG4PC30UD
pdf, 216 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.