IRG4PC30UDPBF транзистор IGBT

Фото 1/5 IRG4PC30UDPBF транзистор IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
1 580 руб.
1 шт. на сумму 1 580 руб.
Плати частями
от 395 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017359120
Артикул: IRG4PC30UDPBF
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 23 A
Continuous Collector Current Ic Max 23 A
Factory Pack Quantity 25
Height 20.3 mm
Length 15.9 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 100 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Technology Si
Unit Weight 1.340411 oz
Width 5.3 mm
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 385 КБ
Datasheet IRG4PC30UD
pdf, 216 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.