IKW25T120, Транзистор БТИЗ, биполярный, 1,2кВ, 50А, 190Вт, PG-TO247-3
![Фото 1/4 IKW25T120, Транзистор БТИЗ, биполярный, 1,2кВ, 50А, 190Вт, PG-TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179528.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
1 390 руб.
от 10 шт. —
1 070 руб.
от 30 шт. —
909 руб.
от 90 шт. —
682.48 руб.
1 шт.
на сумму 1 390 руб.
Плати частями
от 349 руб. × 4 платежа
от 349 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 190 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 21 mm |
Длина | 15.8 mm |
Другие названия товара № | IKW25T12XK SP000013939 IKW25T120FKSA1 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | Trenchstop IGBT3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5 mm |
Channel Type | N |
Energy Rating | 7mJ |
Gate Capacitance | 1860pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 190 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.2 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 50 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 25 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
Height | 21 mm |
Length | 15.8 mm |
Manufacturer | Infineon |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW25T120FKSA1 IKW25T120XK SP000013939 |
Pd - Power Dissipation | 190 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | IKW25T120 |
Technology | Si |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Width | 5 mm |
Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW25T120
pdf, 512 КБ
Datasheet IKW25T120FKSA1
pdf, 511 КБ
Datasheet IKW25T120FKSA1
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов