IKP10N60TXKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 10А, 110Вт, TO220

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

390 руб.

от 10 шт. — 280 руб.

от 50 шт. — 240 руб.

от 100 шт. — 216.33 руб.

1 шт. на сумму 390 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8017528554

Артикул: IKP10N60TXKSA1

Описание Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 10А, 110Вт, TO220 Характеристики

Case	TO220AB
Collector current	10A
Collector-emitter voltage	600V
Features of semiconductor devices	integrated anti-parallel diode
Gate charge	62nC
Gate-emitter voltage	±20V
Kind of package	tube
Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting	THT
Power dissipation	110W
Pulsed collector current	30A
Semiconductor structure	single transistor
Type of transistor	IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	24 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	110 W
Number of Transistors	3
Package Type	PG-TO-220-3
Вес, г	2.03