IKW40N120T2, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 40А, 480Вт, PG-TO247-3
![IKW40N120T2, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 40А, 480Вт, PG-TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 100 руб.
от 10 шт. —
870 руб.
от 30 шт. —
695 руб.
от 90 шт. —
621.51 руб.
1 шт.
на сумму 1 100 руб.
Плати частями
от 275 руб. × 4 платежа
от 275 руб. × 4 платежа
Описание
TO-247-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 40A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 192nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | THT |
Power dissipation | 480W |
Pulsed collector current | 165A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | TRENCHSTOP™ |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.125 |
Техническая документация
Datasheet IKW40N120T2FKSA1
pdf, 592 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов