T835-600B, Тиристор дискретный

T835-600B, Тиристор дискретный
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
615 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
220 руб.
от 10 шт.140 руб.
от 30 шт.114 руб.
от 100 шт.96.51 руб.
1 шт. на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8017534081
Артикул: T835-600B
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В

Технические параметры

кол-во в упаковке 75
Brand: STMicroelectronics
Current Rating: 8 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gate Trigger Current - Igt: 35 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.3 V
Holding Current Ih Max: 35 mA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current: 80 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 5 uA
On-State Voltage: 1.55 V
Package / Case: DPAK
Packaging: Tube
Product Category: Triacs
Product Type: Triacs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 600 V
Series: T835
Subcategory: Thyristors
Tradename: Snubberless
Lead Finish Matte Tin
Max Processing Temp 260
Maximum Gate Trigger Current 35 mA
Maximum Gate Trigger Voltage 1.3 V
Maximum Holding Current 35 mA
Mounting Surface Mount
Operating Temperature -40 to 125 °C
Peak On-State Voltage 1.55@11A V
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage 600 V
Repetitive Peak Off-State Current 0.005 mA
Repetitive Peak Reverse Voltage 600 V
Surge Current Rating 84 A
Type TRIAC
Вес, г 0.33

Техническая документация

Datasheet
pdf, 296 КБ
Datasheet
pdf, 288 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Симисторы»

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.