IKP20N60H3XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 40А, 170Вт, PG-TO220-3
![Фото 1/3 IKP20N60H3XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 40А, 170Вт, PG-TO220-3](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172665.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/266/DOC047266119.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/586/DOC012586614.jpg)
480 руб.
от 10 шт. —
320 руб.
1 шт.
на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
High speed IGBT in trench and fieldstop technology suitable for use in uninterruptible power supplies, welding converters and converters with high switching frequency.
• TRENCHSTOP™ technology offering very low VCEsat and low EMI
• Very soft, fast recovery anti-parallel diode
• Maximum junction temperature 175°C
• Qualified according to JEDEC for target applications
Технические параметры
Collector Current | 40А |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Power Dissipation | 170Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOPT |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 170 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO-220-3 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 73 КБ
Datasheet IKP20N60H3
pdf, 2293 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов