IGP50N60T, Транзистор IGBT, 600В, 50А, 333Вт, TO220-3
![IGP50N60T, Транзистор IGBT, 600В, 50А, 333Вт, TO220-3](https://static.chipdip.ru/lib/540/DOC006540105.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
1 шт.
на сумму 780 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
333W 90A 600V FS(Field Stop) TO-220-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 90A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2V@15V, 50A |
Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 333W |
Pulsed Collector Current (Icm) | 150A |
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 310nC |
Turn?off Delay Time (Td(off)) | 299ns |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.4mJ |
Turn?on Delay Time (Td(on)) | 26ns |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.2mJ |
Type | FS(Field Stop) |
Pd - рассеивание мощности | 333 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 9.25 mm |
Длина | 10 mm |
Другие названия товара № | IGP50N60TXKSA1 IGP5N6TXK SP000683046 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | TRENCHSTOP IGBT |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Вес, г | 3.55 |
Техническая документация
Infineon Technologies IGP50N60T
pdf, 443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов