IGP50N60T, Транзистор IGBT, 600В, 50А, 333Вт, TO220-3

IGP50N60T, Транзистор IGBT, 600В, 50А, 333Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
780 руб.
1 шт. на сумму 780 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017539484
Артикул: IGP50N60T

Описание

333W 90A 600V FS(Field Stop) TO-220-3 IGBTs ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 90A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) 600V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) 2V@15V, 50A
Operating Temperature -40℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 333W
Pulsed Collector Current (Icm) 150A
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) 310nC
Turn?off Delay Time (Td(off)) 299ns
Turn?off Switching Loss (Eoff) 1.4mJ
Turn?on Delay Time (Td(on)) 26ns
Turn?on Switching Loss (Eon) 1.2mJ
Type FS(Field Stop)
Pd - рассеивание мощности 333 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.25 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № IGP50N60TXKSA1 IGP5N6TXK SP000683046
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 90 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия TRENCHSTOP IGBT
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Вес, г 3.55

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов