IGW100N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 100А, 714Вт, PG-TO247-3

IGW100N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 100А, 714Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 980 руб.
1 шт. на сумму 1 980 руб.
Плати частями
от 495 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8017539576
Артикул: IGW100N60H3

Описание

Transistors/Thyristors\IGBTs
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 714 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № SP000913772 IGW1N6H3XK IGW100N60H3FKSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 140 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия HighSpeed 3
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6.18

Техническая документация

Datasheet IGW100N60H3
pdf, 2167 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов