IGW75N60T, Транзистор: IGBT, 600В, 75А, 428Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 240 руб.
от 10 шт. —
1 820 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 240 руб.
Плати частями
от 560 руб. × 4 платежа
от 560 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGW75N60T от производителя INFINEON – это высокомощный компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Благодаря току коллектора в 75 А и напряжению коллектор-эмиттер до 600 В, данный транзистор способен управлять большими нагрузками, обеспечивая эффективную работу в широком диапазоне применений. Мощность устройства составляет 428 Вт, что делает его отличным выбором для задач с высокими требованиями к энергопотреблению. Вид IGBT указывает на использование биполярной технологии с изолированным затвором, обеспечивающей хорошую производительность при коммутации. Корпус PG-TO247-3 гарантирует надежное и удобное размещение на плате. Найдите IGW75N60T в нашем ассортименте для уверенной реализации ваших проектов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 75 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 428 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 428 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGW75N60T SP000054927 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | Trenchstop IGBT3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 428 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 5.42 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
