DDTC114ECA-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 50мА, 200мВт, SOT23, R1: 10кОм

Фото 1/3 DDTC114ECA-7-F, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 50мА, 200мВт, SOT23, R1: 10кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.7 руб.
от 600 шт.5 руб.
20 шт. на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги6
Номенклатурный номер: 8017546600
Артикул: DDTC114ECA-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 50мА, 200мВт, SOT23, R1: 10кОм Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Base Product Number DDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 200mW
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Input Resistor 10 kΩ
Typical Resistor Ratio 1
Вес, г 0.06

Техническая документация

Datasheet
pdf, 305 КБ
Datasheet
pdf, 248 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 101 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов