DDTC114YE-7-F, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
19 руб.
5 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 68 |
| DC Current Gain hFE Max: | 68 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series: | DDTC114 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.212 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
