RGS80TSX2GC11 Single IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 шт., срок 6 недель
3 730 руб.
1 шт.
на сумму 3 730 руб.
Плати частями
от 934 руб. × 4 платежа
от 934 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM field stop trench IGBT mainly used in PFC, UPS, IH and power conditioner. The power dissipation is 555 watts.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 555 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247N |
Pin Count | 3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 555Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGS80TSX2GC11
pdf, 919 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.