PXT8050, SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1580 шт., срок 6 недель
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 1000 шт. —
7.10 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@100mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.13 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.