NM8205E, ESOT-26 MOSFETs
2990 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
17 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
8 руб.
10 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
20V 5A 20mΩ 1.1V ESOT-26 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.1V |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 800pF |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 125pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.