NM8205E, ESOT-26 MOSFETs

2990 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
17 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.10 руб.
от 300 шт.8 руб.
10 шт. на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8017574516
Артикул: NM8205E

Описание

20V 5A 20mΩ 1.1V ESOT-26 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ
Drain Source Voltage (Vdss) 20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.1V
Input Capacitance (Ciss@Vds) 800pF
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) -
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 125pF
Total Gate Charge (Qg@Vgs) -
Type -
Вес, г 0.04

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.