MMBTA06Q, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1570 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
9 руб.
10 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.