MMBT5551DW, SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
960 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
13 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
6.20 руб.
20 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
160V 500mW 300@10mA,5V 600mA NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 110MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
