MMBT5551Q, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1980 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
13 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
6.60 руб.
20 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 600mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.