MMBT5551Q, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

1980 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
13 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.8 руб.
от 600 шт.6.60 руб.
20 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8017580782
Артикул: MMBT5551Q
Бренд: YANGJIE

Описание

SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 600mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 300mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 300MHz
Вес, г 0.04

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.