STGB40H65FB, 283W -55-~+175-@(Tj) 80A 650V Trench Field Stop 160A 0.363mJ 0.498mJ TO-263-3 IGBTs ROHS
![Фото 1/2 STGB40H65FB, 283W -55-~+175-@(Tj) 80A 650V Trench Field Stop 160A 0.363mJ 0.498mJ TO-263-3 IGBTs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/830/DOC001830962.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/364/DOC013364533.jpg)
995 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
1 200 руб.
от 10 шт. —
940 руб.
от 30 шт. —
791 руб.
от 100 шт. —
664.25 руб.
1 шт.
на сумму 1 200 руб.
Плати частями
от 300 руб. × 4 платежа
от 300 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Transistors/Thyristors\IGBT Transistors / Modules
HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar TransistorsSTMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 80A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
Power Dissipation (Pd) | 283W |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.363mJ |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.498mJ |
Type | FS(Field Stop) |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 283Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | 650V HB |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 283 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGB40H65FB |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.