Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › RD3H080SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET

RD3H080SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

17 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели

320 руб.

от 10 шт. — 230 руб.

1 шт. на сумму 320 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8017582039

Артикул: RD3H080SPFRATL

Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK);TO-252

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	15 W
Qg - заряд затвора	9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	91 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	45 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	20 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	RD3H
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.065Ом
Power Dissipation	15Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	45В
Непрерывный Ток Стока	8А
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	15Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.065Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Вес, г	0.42