RD3T050CNTL1, TO-252-3 MOSFETs
![RD3T050CNTL1, TO-252-3 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
300 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 30 шт. —
174 руб.
1 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.54Ом |
Power Dissipation | 29Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
Непрерывный Ток Стока | 5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.25В |
Рассеиваемая Мощность | 29Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.54Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Datasheet RD3T050CNTL1
pdf, 2561 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.