R6020ENJTL, Транзистор: N-MOSFET

R6020ENJTL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
530 руб.
от 10 шт.420 руб.
от 30 шт.387 руб.
1 шт. на сумму 530 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017583640
Артикул: R6020ENJTL
Бренд: Rohm

Описание

600V 20A 40W 196mΩ@9.5A,10V 4V@1mA 1PCSNChannel TO-263 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 20A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 196mΩ@9.5A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss) 600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@1mA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.4nF@25V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 40W
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 60nC@10V
Type 1PCSNChannel
Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 67 ns
Id - Continuous Drain Current: 20 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: D2PAK-3(TO-263-3)
Part # Aliases: R6020ENJ
Pd - Power Dissipation: 231 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 60 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 196 mOhms
Rise Time: 53 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 150 ns
Typical Turn-On Delay Time: 35 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, г 1.7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1608 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.