Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › RD3P175SNFRATL, TO-252-3 MOSFETs

RD3P175SNFRATL, TO-252-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

57 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели

440 руб.

от 10 шт. — 320 руб.

от 30 шт. — 282 руб.

1 шт. на сумму 440 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8017583736

Артикул: RD3P175SNFRATL

Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK);TO-252

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	17.5 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	105 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	50 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	60 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.075Ом
Power Dissipation	20Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	17.5А
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Вес, г	0.85