NCE65T260, TO-220 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
17 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
390 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
1 шт.
на сумму 390 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 15A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 260mΩ@10V, 8A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 33.2W |
Type | 1PCSNChannel |
Вес, г | 2.73 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.