STGWA15H120DF2, 259W -55-~+175-@(Tj) 30A 1200V Trench Field Stop 60A 0.37mJ 0.38mJ TO-247-3 IGBTs ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
1 250 руб.
1 шт.
на сумму 1 250 руб.
Плати частями
от 314 руб. × 4 платежа
от 314 руб. × 4 платежа
Описание
259W 30A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 30A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 231ns |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.6V@15V, 15A |
Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 259W |
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 67nC |
Turn?off Delay Time (Td(off)) | 111ns |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.37mJ |
Turn?on Delay Time (Td(on)) | 23ns |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.38mJ |
Type | FS(Field Stop) |
Вес, г | 8.71 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.