NCEP12T12, 120V 129A 4.8m-@10V,60A 185W 3.3V@250uA 28pF@50V N Channel 5.6nF@50V 84.7nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-220 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
126 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
380 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 30 шт. —
212 руб.
от 100 шт. —
175.96 руб.
1 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
120V 129A 4.8mΩ@10V,60A 185W 3.3V@250uA 1PCSNChannel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | - |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | - |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 2.68 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.