2SB806, Транзистор биполярный BJT 100 нА 120 В 2 Вт 45 @ 5 мА, 1 В 0,7 А 75 МГц 400 мВ @ 500 мА, 50 мА PNP +150 °C @ (Tj) SOT-89-3
100 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
10 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-89-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 700mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 45@5mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 75MHz |
| Вес, г | 0.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
