TPS1100DR, 15V 1.6A 180mOhm@10V,1.5A 791mW 1.5V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

340 руб.

от 10 шт. — 240 руб.

от 30 шт. — 214 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8017593588

Артикул: TPS1100DR

МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	1.6 A
Pd - рассеивание мощности	791 mW
Qg - заряд затвора	5.45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	15 V
Vgs - напряжение затвор-исток	15 V, + 2 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	40 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	TPS1100
Технология	Si
Тип	PMOS Switches
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	13 ns
Типичное время задержки при включении	4.5 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	SOIC-8
Ширина	3.9 mm
Вес, г	0.11

pdf, 772 КБ

Мы рекомендуем