MMBT5401, 50nA 150V 350mW 60@10mA,5V 600mA 100MHz 500mV@50mA,5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT
16550 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.40 руб.
от 6000 шт. —
2.27 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
150V 300mW 600mA PNP SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 600mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.03 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.