MMBT8050C, 100nA 25V 350mW 100@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT

12250 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 3000 шт.2.60 руб.
от 6000 шт.2.27 руб.
50 шт. на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017597018
Артикул: MMBT8050C
Бренд: Semtech

Описание

25V 350mW 100@100mA,1V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@800mA, 80mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@100mA, 1V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 200mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 100MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 25V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 350mW
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 132 КБ
Datasheet MMBT8050C
pdf, 132 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.