MMBT9012G, 100nA 30V 200mW 100@50mA,1V 500mA 100MHz 600mV@500mA,50mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
100 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
30V 200mW 100@50mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 190@50mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT9012G
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
