CSD86360Q5D, 25V 50A 13W 2.1V@250uA 2 N-Channel LSON-8(6x5) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 860 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Power Block TI NexFET
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 4.3 ns, 6.6 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 113 S, 169 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | LSON-CLIP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 13 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.7 nC, 23 nC |
| Rise Time: | 20.4 ns, 14.8 ns |
| Series: | CSD86360Q5D |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | Synchronous Buck MOSFET Driver |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.5 ns, 29.3 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.4 ns, 9.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 750 mV |
| Вес, г | 0.19 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
