DDTC115EUA-7-F, Транзистор цифровой 1 NPN с предварительным смещением, 200мВт, 100 мА, 50 В SOT-323-2
![DDTC115EUA-7-F, Транзистор цифровой 1 NPN с предварительным смещением, 200мВт, 100 мА, 50 В SOT-323-2](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530039.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K100K
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DDTC115 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 363 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов