DDTC115GCA-7-F, 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors

Фото 1/2 DDTC115GCA-7-F, 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.6 руб.
от 600 шт.4.20 руб.
20 шт. на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8017630696
Артикул: DDTC115GCA-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 82
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 82
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC115
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Brand Diodes Incorporated
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 82
DC Current Gain HFE Max 82
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series DDTC115
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 87 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов