DDTC123JE-7-F, 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V SOT-523-3 Digital Transistors

DDTC123JE-7-F, 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V SOT-523-3 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.10 руб.
от 300 шт.6.50 руб.
10 шт. на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8017630697
Артикул: DDTC123JE-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 150mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.75 mm
Длина 1.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC123
Тип NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.046
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-523-3
Ширина 0.8 mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 150 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов