IKD15N60RF, TO-252-3 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 руб.
1 шт.
на сумму 1 250 руб.
Плати частями
от 314 руб. × 4 платежа
от 314 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IKD15N6RFXT SP000939368 IKD15N60RFATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1793 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
