MMBTRC104SS, +150°C@(Tj) 80@10mA,5V 0.3V@10mA,0.5mA 200MHz 200mW 1V@0.1mA,5V 5V@5mA,0.2V 1 NPN - Pre BIased TO-236-3 DIgItal TransIstors
1600 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.20 руб.
20 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW TO-236-3 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 674 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.