MMBT8550D, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150°C@(Tj) TO-236-3 BIpolar TransIstors - BJT
5450 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
2.70 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
25V 350mW 160@100mA,1V 600mA PNP TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT8550D
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
