ISL9V3040D3ST-F085C, БТИЗ 150 Вт -40°C+175°C@(Tj) 21А 430В TO-252 IGBT
![ISL9V3040D3ST-F085C, БТИЗ 150 Вт -40°C+175°C@(Tj) 21А 430В TO-252 IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC043172088.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 30 шт. —
213 руб.
от 100 шт. —
173.04 руб.
1 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 400 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.25 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 21 A |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2465 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов