ISL9V3040D3ST-F085C, БТИЗ 150 Вт -40°C+175°C@(Tj) 21А 430В TO-252 IGBT

ISL9V3040D3ST-F085C, БТИЗ 150 Вт -40°C+175°C@(Tj) 21А 430В TO-252 IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
400 руб.
от 10 шт.250 руб.
от 30 шт.213 руб.
от 100 шт.173.04 руб.
1 шт. на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8017637307
Артикул: ISL9V3040D3ST-F085C

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.25 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 21 A
Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -10 V, 10 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation: 150 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 0.42

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2465 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов