FFSH40120ADN-F085, 200uA@1.2kV 1.2kV Dual Common Cathode 1.45V@20A 25A TO-247-3 Schottky Barrier Diodes (SBD)
![Фото 1/2 FFSH40120ADN-F085, 200uA@1.2kV 1.2kV Dual Common Cathode 1.45V@20A 25A TO-247-3 Schottky Barrier Diodes (SBD)](https://static.chipdip.ru/lib/047/DOC026047975.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/024/DOC030024186.jpg)
5 500 руб.
от 5 шт. —
4 980 руб.
1 шт.
на сумму 5 500 руб.
Плати частями
от 1 375 руб. × 4 платежа
от 1 375 руб. × 4 платежа
Описание
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon.
Технические параметры
Diode Configuration | Dual Common Cathode |
Diode Technology | SiC Schottky |
Diode Type | SiC Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 50A |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 1.19kA |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | Schottky Diode |
Вес, г | 7.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 271 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов