SMMBD7000LT3G, 100V -55°C~+150°C@(Tj) 300mW Dual 1.1V@100mA 4ns 3uA@100V 200mA SOT-23 SwItchIng DIode
![SMMBD7000LT3G, 100V -55°C~+150°C@(Tj) 300mW Dual 1.1V@100mA 4ns 3uA@100V 200mA SOT-23 SwItchIng DIode](https://static.chipdip.ru/lib/249/DOC047249525.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
75 руб.
1 шт.
на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
100V Dual 1.1V@100mA 4ns 200mA SOT-23 Switching Diode ROHS
Технические параметры
Average Rectified Current (Io) | 200mA |
Diode Configuration | Dual |
Forward Voltage (Vf@If) | 1.1V@100mA |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Reverse Leakage Current | 3uA@100V |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Reverse Voltage (Vr) | 100V |
Категория продукта | Диоды - общего назначения, управление питанием, ко |
Квалификация | AEC-Q101 |
Подкатегория | Diodes Rectifiers |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | MMBD7000L |
Тип продукта | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Rectifier |
Maximum Continuous Forward Current | 200mA |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.1V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 500mA |
Peak Reverse Recovery Time | 4ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 100V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | Switching |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды выпрямительные»
Типы корпусов импортных диодов