FGHL50T65MQDT, TO-247-3LD IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 090 руб.
от 10 шт. —
920 руб.
от 30 шт. —
850 руб.
от 90 шт. —
762.27 руб.
1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Плати частями
от 274 руб. × 4 платежа
от 274 руб. × 4 платежа
Описание
The ON Semiconductor 650 V, 50 A FS4 medium switching speed IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and well controllable turnoff Vce overshoot.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 268 W |
| Number of Transistors | 30 |
| Package Type | TO-247-3L |
| Вес, г | 7.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 413 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
