NTR4003NT1G, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 0,56А, 0,69Вт, SOT23-3
![Фото 1/4 NTR4003NT1G, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 0,56А, 0,69Вт, SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438653.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC028530595.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
16 руб.
от 10 шт. —
14 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 0,56А, 0,69Вт, SOT23-3
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 560 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 690 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1.15 nC @ 5 V |
Width | 1.4mm |
Brand: | onsemi |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 64.2 ns |
Forward Transconductance - Min: | 0.33 S |
Id - Continuous Drain Current: | 560 mA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 690 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 1.15 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
Rise Time: | 47.9 ns |
Series: | NTR4003N |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | FETs-MOSFET-N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 65.1 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16.7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов