NTR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; 60В; 1,6А; 600мВт; SOT23
![Фото 1/5 NTR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; 60В; 1,6А; 600мВт; SOT23](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438653.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/469/DOC025469907.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
19 руб.
от 10 шт. —
15 руб.
от 100 шт. —
14 руб.
1 шт.
на сумму 19 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET; 60В; 1,6А; 600мВт; SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид | MOSFET |
Тип | полевой |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 155 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 900 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
Width | 1.4mm |
Brand: | onsemi |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 2 ns |
Forward Transconductance - Min: | 3 S |
Id - Continuous Drain Current: | 2.2 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 5.1 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 142 mOhms |
Rise Time: | 7 ns |
Series: | NTR5198NL |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 0.031 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов