Z0107MN,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 5/7мА; Ifsm: 8,5А; 4Q

Фото 1/2 Z0107MN,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 5/7мА; Ifsm: 8,5А; 4Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1395 шт., срок 6 недель
55 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт.43 руб.
от 100 шт.38 руб.
от 500 шт.27.93 руб.
5 шт. на сумму 275 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8018018395
Артикул: Z0107MN,135

Описание

Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В

Технические параметры

Case SOT223
Features of semiconductor devices sensitive gate
Gate current 5/7mA
Kind of package reel, tape
Manufacturer WeEn Semiconductors
Max. forward impulse current 8.5A
Max. load current 1A
Max. off-state voltage 0.6kV
Mounting SMD
Technology 4Q
Type of thyristor triac
Brand: WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 4000
Gate Trigger Current - Igt: 7 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.3 V
Holding Current Ih Max: 10 mA
Manufacturer: WeEn Semiconductors
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current: 8 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 500 uA
On-State RMS Current - It RMS: 1 A
On-State Voltage: 1.3 V
Package / Case: SOT-223-4
Part # Aliases: 934057057135
Product Category: Triacs
Product Type: Triacs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 600 V
Subcategory: Thyristors
Вес, г 0.14

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Симисторы»

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.