Z0107MN,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 5/7мА; Ifsm: 8,5А; 4Q
![Фото 1/2 Z0107MN,135, Симистор; 600В; 1А; SOT223; Igt: 5/7мА; Ifsm: 8,5А; 4Q](https://static.chipdip.ru/lib/711/DOC047711084.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/432/DOC013432542.jpg)
1395 шт., срок 6 недель
55 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт. —
43 руб.
от 100 шт. —
38 руб.
от 500 шт. —
27.93 руб.
5 шт.
на сумму 275 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В
Технические параметры
Case | SOT223 |
Features of semiconductor devices | sensitive gate |
Gate current | 5/7mA |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | WeEn Semiconductors |
Max. forward impulse current | 8.5A |
Max. load current | 1A |
Max. off-state voltage | 0.6kV |
Mounting | SMD |
Technology | 4Q |
Type of thyristor | triac |
Brand: | WeEn Semiconductors |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Gate Trigger Current - Igt: | 7 mA |
Gate Trigger Voltage - Vgt: | 1.3 V |
Holding Current Ih Max: | 10 mA |
Manufacturer: | WeEn Semiconductors |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Non Repetitive On-State Current: | 8 A |
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: | 500 uA |
On-State RMS Current - It RMS: | 1 A |
On-State Voltage: | 1.3 V |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Part # Aliases: | 934057057135 |
Product Category: | Triacs |
Product Type: | Triacs |
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: | 600 V |
Subcategory: | Thyristors |
Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.