DG50X12T2, Транзистор: IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
82 шт., срок 6 недель
2 350 руб.
от 3 шт. —
1 870 руб.
от 10 шт. —
1 510 руб.
от 30 шт. —
1 318.35 руб.
1 шт.
на сумму 2 350 руб.
Плати частями
от 589 руб. × 4 платежа
от 589 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247PLUS |
| Collector current | 50A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 0.35µC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 592W |
| Pulsed collector current | 150A |
| Turn-off time | 607ns |
| Turn-on time | 180ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.98 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 523 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
