STGP10M65DF2, Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 115Вт; TO220AB
![Фото 1/5 STGP10M65DF2, Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 115Вт; TO220AB](https://static.chipdip.ru/lib/602/DOC047602470.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/709/DOC005709320.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
36 шт., срок 6 недель
400 руб.
от 3 шт. —
330 руб.
от 10 шт. —
288 руб.
1 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Case | TO220AB |
Collector current | 10A |
Collector-emitter voltage | 650V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 28nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | THT |
Power dissipation | 115W |
Pulsed collector current | 40A |
Type of transistor | IGBT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGP10M65DF2 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Channel Type | N |
Energy Rating | 0.66mJ |
Gate Capacitance | 840pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 115 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 20 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 250 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 115 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Technology | Field Stop|Trench |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
Вес, г | 1.99 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 804 КБ
Datasheet STGP10M65DF2
pdf, 782 КБ
Datasheet STGP10M65DF2
pdf, 544 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.