RF6E045AJTCR, Диод: выпрямительный

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2935 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели

82 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 52 руб.

от 150 шт. — 45 руб.

от 500 шт. — 34.57 руб.

5 шт. на сумму 410 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8018072183

Артикул: RF6E045AJTCR

Бренд: Rohm

30V 4.5A 23.7mΩ@4.5A,4.5V 1W 1.5V@1mA null SOT-363 MOSFETs ROHS

Continuous Drain Current (Id)	4.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	23.7mΩ@4.5A, 4.5V
Drain Source Voltage (Vdss)	30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1.5V@1mA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	900pF@15V
Power Dissipation (Pd)	1W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	8.1nC@4.5V
Type	null
Brand:	ROHM Semiconductor
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	10 ns
Forward Transconductance - Min:	6 S
Id - Continuous Drain Current:	4.5 A
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	SOT-363-6
Part # Aliases:	RF6E045AJ
Pd - Power Dissipation:	1 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	8.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	16.9 mOhms
Rise Time:	15 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	40 ns
Typical Turn-On Delay Time:	15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	500 mV
Вес, г	1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем