RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET

RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
60 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
260 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 30 шт.152 руб.
1 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8018072405
Артикул: RD3G01BATTL1
Бренд: Rohm

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.031Ом
Power Dissipation 25Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 15А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.031Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RD3G01BATTL1
pdf, 2696 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.