EM6K7T2R, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7920 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
21 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
от 500 шт. —
14.34 руб.
5 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения5
Описание
МОП-транзистор TRNSISTR DUAL МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 10 ns |
Другие названия товара № | EM6K7 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 200 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | EM6K7 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual |
Factory Pack Quantity | 8000 |
Fall Time | 10 ns |
Forward Transconductance - Min | 200 mS |
Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOT-563-6 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | EM6K7 |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 800 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
Series | EM6K7 |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 4.8 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Power Dissipation | 150 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-563 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Material | Si |
Width | 1.2mm |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.