RAL035P01TCR, Транзистор: P-MOSFET
![RAL035P01TCR, Транзистор: P-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/936/DOC006936334.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2943 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
99 руб.
от 10 шт. —
74 руб.
от 30 шт. —
58 руб.
от 100 шт. —
50.69 руб.
1 шт.
на сумму 99 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор Trans МОП-транзистор P-CH 12V 3.5A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 22 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 30 ns |
Время спада | 75 ns |
Другие названия товара № | RAL035P01 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RAL035P01 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 230 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-363T-6 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet RAL035P01TCR
pdf, 1476 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.